做 GaN、SiC 这些第三代半导体，应力分布、载流子浓度分布是常看的两张图——这两个拟合功能老版本就有，新版没有改动。但光看分布图还不够，写报告、判合格都需要数值支撑。新版新增了一套晶圆级统计，不用再把系数表导到别的软件里慢慢算，这一篇就讲清楚它能给什么、怎么用。

晶圆级统计：一张图直接出一整套数字

一张晶圆 Mapping 往往是几千上万个点，光看一张彩色分布图还不够，写报告、判合格都需要数值支撑。新版的图像统计可以直接对选定图层（峰位、应力、载流子浓度、峰强、寿命）给出一整套指标：最小值、最大值、均值、标准差，不均匀度 NU%， 3σ 控制限，还有反映整片翘曲和中心弯曲的 Warp、Bow。

图1  晶圆级统计指标一览：均匀性、异常点、翘曲弯曲都能量化

边缘无效点一键去掉：晶圈边界定位

测过晶圆的人都知道一个麻烦：晶圆是圆的，但 最终得到的数据整体往往是方的——这其中就包含了四个角的无用数据，同时样品边缘某些位置信号弱到没法用。这些无效点如果混进统计，会把整片的均值拉偏、不均匀度算大、连 3σ 异常点都不准。过去需要将数据导出去自己删，非常费事。

新版加了晶圈边界定位，一键就能解决。在统计面板上点"显示边界"，软件会自动识别晶圆的有效圆形区域，把边缘以外的无效点排除掉。"去边"参数可以调整想要算进统计内部的数值区域大小。调好后点"重新计算边界"，面板下方会显示有效点数，比如一片 64×64 的 Mapping 总共 4096 个点，去掉边角后有效点可能只剩三千多，这才是真正参与统计的数据。

所有操作完成后，边界一定，均值、标准差、NU%、3σ 这些指标就只算圈内有效点，不会再被边缘噪声带偏，写报告时这个数才是可信的。

图2  拟合边界操作区域展示

举个匿名的例子：我们处理过一片 6 英寸 SiC 晶圆的应力Mapping，三千多个测点、点距约 2.4 毫米，配合这套统计，整片应力在什么量级、波动大小、有没有跳出 3σ 带的异常位置，很快就能圈出来，不用再把系数表导到别的软件里慢慢算。统计结果可以直接导出 Excel，报告里要的均值、不均匀度都是现成的。

用的时候，有两点提醒

一是统计前可以用拟合边界把晶圆边缘的无效点去掉，面板上会显示有效点数；如果你之前还做过有效性筛选，坏点也会自动排除，统计结果只反映有效数据。二是晶圆统计不限定某一种拟合结果——峰位、应力、载流子浓度、峰强、寿命分布图都能直接拿来算，选好图层点一下统计就行。

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